Patterning Yield of Sub-100-nm Holes Limited by Fluctuation of Exposure and Development Reactions in Synchrotron Radiation Lithography Using Biased Mask Patterns
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概要
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- 社団法人応用物理学会の論文
- 2000-12-30
著者
-
河合 良信
九大総理工
-
Kawai Yoshinobu
Welding Research Institute Osaka University
-
Kawai Yasunobu
Interdisciplinary Graduate School Of Engineering Sciences Kyushu University
-
Kawai Yoshinobu
Interdiciplinary Gradate School Of Engineering Sciences Kyushu University
-
ODA Masatoshi
NTT LSI Laboratories
-
ODA Masatoshi
NTT Telecommunications Energy Laboratories
-
ODA Masatoshi
NTT System Electronics Laboratories
-
Kawai Y
Welding Research Institute Osaka University
-
Kawai Y
Kyushu Univ. Fukuoka Jpn
-
HORIUCHI Kei
Fujitsu Laboratories Ltd.
-
Kawai Y
Mitsubishi Materials Silicon Corporation
-
DEGUCHI Kimiyoshi
NTT Telecommunications Energy Laboratories
-
KAWAI Yoshio
NTT Telecommunications Energy Laboratories
-
KOCHIYA Hiroyuki
NTT Advanced Technology
-
USHIYAMA Yukihiko
NTT Advanced Technology
-
河合 良信
Kyushu Univ. Fukuoka
-
Horiuchi K
Fujitsu Laboratories Ltd.
-
Deguchi K
Department Of Electronics And Information Systems Osaka University
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