CaS:Eu, F Thin Film Electroluminescent Devices Prepared by RF Sputtering with Hydrogen-Argon Mixture Gas
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概要
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CaS:Eu, F electroluminescent devices with high luminous characteristics were prepared by rf-magnetron sputtering. The film quality of the active layer was improved by preparation with hydrogen-added argon sputtering gas. The active layer thus prepared has preferential (220) orientation and enhanced columnar structure with reduced incorporated fluorine atoms. The environment around the luminescent center was also affected to some extent by hydrogen addition to the argon sputtering gas. A device with the luminance of 250 cd/m^2 and the luminous efficiency of 0.2 lm/W at a 1 kHz sine wave operation was prepared.
- 社団法人応用物理学会の論文
- 1990-10-20
著者
-
Kato K
Shizuoka Johoku Senior High School Shizuoka Jpn
-
Kato Ken-ichi
Deparment Of Biology
-
Ando K
Toyota Technological Institute
-
Ando K
Department Of Electrical And Electronic Engineering Tottori University
-
Ando K
Department Of Electrical And Electronic Engineering Faculty Of Engineering Osaka Industrial Universi
-
Aozasa M
Osaka City Univ.
-
Aozasa Masao
Department Of Electrical Engineering Faculty Of Engineering Osaka City University
-
NAKAYAMA Tadaaki
Department of Electrical Engineering, Faculty of Engineering, Osaka City University
-
ANDO Keiichi
Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Osaka Industrial Univer
-
Nakayama Tadaaki
Department Of Electrical Engineering Faculty Of Engineering Osaka City University:(present Address)s
-
Aozasa Masao
Department Of Physical Electronics And Information
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