HEI-EL(ホットエレクトロン注入型EL)素子の発光特性
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概要
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Hot-electron injection EL (HEI-EL) devices have been fabricated on p-type Si substrates. Due to hot-electron injection into the ZnS : Mn emission layer through an SiO_2 insulating leyer from the Si substrate, HEI-EL devices show lower driving voltages in comparison with conventional TFEL devices. When the device was prepared on a p-layer formed by boron ion implantation of a n-type Si wafor, the driving voltage became lower and luminance became higher compared to devices constructed on a simple p-type wafer. Further it was found that the luminance was controlled by the dc bias voltage applied across the interface between p-Si and SiO_2.
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1990-12-18
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