スタックCCDの光電変換膜における欠陥密度減少に伴う画素電極端での電界集中問題とその改善

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概要

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• 200万画素スタックCCDのようなアモルファスシリコンを用いたイメージセンサにおいては、膜の欠陥密度が減少すると逆方向のリーク電流が増加するという問題がある。本論文では、まず、電界計算の結果から明らかになった、欠陥密度の減少に伴う画素電極端での電界集中について述べる。また、この電極端での電界集中を緩和するために画素電極にテーパをもうけ、リーク電流を改善できた結果について示す。

• 社団法人映像情報メディア学会の論文
• 1996-06-21

著者

• 野崎 秀俊

  株式会社東芝セミコンダクター社 システムlsi事業部

• 真鍋 宗平

  株式会社東芝セミコンダクター社 システムlsi事業部

• 山口 鉄也

  株式会社東芝セミコンダクター社 システムLSI事業部

• 井原 久典

  株式会社東芝、研究開発センター、先端半導体デバイス研究所

• 真鍋 宗平

  株式会社東芝ulsi研究所

• 大場 英史

  株式会社東芝研究開発センターULSI研究所

• 飯田 義典

  株式会社東芝研究開発センターULSI研究所

• 大場 英史

  東芝研究開発センターulsi研究所

• 井原 久典

  (株)東芝 セミコンダクター社システムlsi事業部 システムlsi統括第一部

• 山口 鉄也

  (株)東芝 セミコンダクター社システムlsi事業部 システムlsi統括第一部

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