井原 久典 | 株式会社東芝、研究開発センター、先端半導体デバイス研究所

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概要

• 同名の論文著者
• 株式会社東芝、研究開発センター、先端半導体デバイス研究所の論文著者

関連著者

• 野崎 秀俊

  株式会社東芝セミコンダクター社 システムlsi事業部

• 山口 鉄也

  株式会社東芝セミコンダクター社 システムLSI事業部

• 井原 久典

  株式会社東芝、研究開発センター、先端半導体デバイス研究所

• 井原 久典

  (株)東芝 セミコンダクター社システムlsi事業部 システムlsi統括第一部

• 山口 鉄也

  (株)東芝 セミコンダクター社システムlsi事業部 システムlsi統括第一部

• 真鍋 宗平

  株式会社東芝セミコンダクター社 システムlsi事業部

• 真鍋 宗平

  株式会社東芝ulsi研究所

• 大場 英史

  株式会社東芝研究開発センターULSI研究所

• 飯田 義典

  株式会社東芝研究開発センターULSI研究所

• 大場 英史

  東芝研究開発センターulsi研究所

• 中村 信男

  株式会社東芝 セミコンダクター社 システムlsi設計技術統括部

• 井上 郁子

  株式会社東芝セミコンダクター社 システムlsi事業部

• 山下 浩史

  (株)東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 山下 浩史

  株式会社東芝、研究開発センター、先端半導体デバイス研究所

• 山下 浩史

  株式会社東芝 研究開発センター

• 中村 信男

  株式会社東芝 システムlsi統括部

• 山下 浩史

  株式会社東芝

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著作論文

• 3.7ミクロン角CMOSイメージセンサ
• スタックCCDの光電変換膜における欠陥密度減少に伴う画素電極端での電界集中問題とその改善
• スタックCCDの光電変換膜における欠陥密度減少に伴う画素電極端での電界集中問題とその改善

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