野崎 秀俊 | 株式会社東芝セミコンダクター社 システムlsi事業部
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概要
関連著者
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野崎 秀俊
株式会社東芝セミコンダクター社 システムlsi事業部
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山口 鉄也
(株)東芝 セミコンダクター社システムlsi事業部 システムlsi統括第一部
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井原 久典
(株)東芝 セミコンダクター社システムlsi事業部 システムlsi統括第一部
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真鍋 宗平
株式会社東芝セミコンダクター社 システムlsi事業部
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井上 郁子
株式会社東芝セミコンダクター社 システムlsi事業部
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山下 浩史
(株)東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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野崎 秀俊
東芝
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古川 章彦
(株)東芝 研究開発センター Ulsi研究所
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宮川 良平
株式会社東芝セミコンダクター社 システムLSI事業部
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野崎 秀俊
(株)東芝研究開発センター ULSI研究所
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大場 英史
東芝研究開発センターulsi研究所
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山口 鉄也
東芝
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中村 信男
株式会社東芝 セミコンダクター社 システムlsi設計技術統括部
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山口 鉄也
株式会社東芝セミコンダクター社 システムLSI事業部
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井原 久典
東芝
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江川 佳孝
東芝 セミコンダクター社
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飯田 義典
東芝
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古川 章彦
(株)東芝研究開発センター
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宮川 良平
(株)東芝研究開発センター ULSI研究所
-
山口 鉄也
(株)東芝研究開発センター ULSI研究所
-
佐久間 尚志
(株)東芝研究開発センター ULSI研究所
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新山 貴子
(株)東芝研究開発センター Ulsi研究所
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宮川 良平
(株)東芝 研究開発センター
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真鍋 宗平
(株)東芝 ULSI研究所
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原田 望
(株)東芝 ULSI研究所
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江川 佳孝
(株)東芝
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遠藤 幸雄
(株)東芝
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遠藤 幸雄
東芝
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山下 浩史
東芝
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井上 郁子
東芝
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井原 久典
株式会社東芝、研究開発センター、先端半導体デバイス研究所
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原田 望
東芝・総研
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井上 郁子
(株)東芝先端半導体デバイス研究所研究第1担当
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真鍋 宗平
東芝
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真鍋 宗平
株式会社東芝ulsi研究所
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飯田 義典
(株)東芝研究開発センター
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井原 久典
(株)東芝研究開発センター ULSI研究所
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宇家 真司
東芝
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木村 実
東芝
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松長 誠之
東芝 研開セ
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松長 誠之
(株)東芝ulsi研究所
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井上 郁子
(株)東芝セミコンダクター社
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石塚 芳樹
(株)東芝 研究開発センター Ulsi研究所
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松長 誠之
(株)東芝研究開発センターULSI研究所
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伊東 宏
東芝
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柳瀬 勇
(株)東芝研究開発センター Ulsi研究所
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佐々木 道夫
(株)東芝
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新山 貴子
東芝
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中村 信男
東芝
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遠藤 幸雄
東芝超LSI研究所
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大場 英史
東芝
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大場 英史
株式会社東芝研究開発センターULSI研究所
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飯田 義典
株式会社東芝研究開発センターULSI研究所
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石塚 芳樹
(株)東芝研究開発センター
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古川 章彦
東芝
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佐久間 尚志
東芝
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一之瀬 秀夫
(株)東芝研究開発センター ULSI研究所
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宇家 真司
(株)東芝ULSI研究所
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木村 実
(株)東芝ULSI研究所
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坂久保 武男
東芝 研開セ
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遠藤 菜穂子
東芝研究開発センター
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松長 誠之
株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所 デバイス技術研究所
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大澤 慎治
(株)東芝
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井手 祐二
(株)東芝 総合研究所
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松長 誠之
東芝
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坂久保 武男
(株)東芝研究開発センター
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柳瀬 勇
東芝
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大澤 慎治
(株)東芝セミコンダクター社システムLSI事業部システムLSI統括第一部
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三浦 浩樹
(株)東芝セミコンダクター社システムLSI事業部システムLSI統括第一部
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大澤 慎治
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部システムLSI統括第一部
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(株)東芝
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有限会社 クオーツソフト開発
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(株)東芝総合研究所
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新山 貴子
(株)東芝総合研究所電子部品研究所
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山下 浩史
株式会社東芝、研究開発センター、先端半導体デバイス研究所
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三浦 浩樹
株式会社東芝 セミコンダクター社 システムLSI事業部 システムLSI統括第一部
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三浦 浩樹
(株)東芝 セミコンダクター社 システムlsi事業部 システムlsi統括第一部
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宮川 良平
株式会社東芝ulsi研究所
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山下 浩史
株式会社東芝 研究開発センター
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井原 久典
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大場 英史
株式会社 東芝 研究開発センターULSI研究所
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株式会社 東芝 研究開発センターULSI研究所
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飯田 義典
株式会社 東芝 研究開発センターULSI研究所
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野崎 秀俊
株式会社 東芝 研究開発センターULSI研究所
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真鍋 宗平
株式会社 東芝 研究開発センターULSI研究所
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佐々木 道夫
東芝
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宮川 良平
東芝
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東芝
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石塚 芳樹
東芝
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一之瀬 秀夫
東芝
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坂久保 武男
東芝
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大場 英史
(株)東芝研究開発センター ULSI研究所
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遠藤 菜穂子
(株)東芝研究開発センター ULSI研究所
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井手 祐二
東芝
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井手 祐二
(株)東芝総合研究所
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矢野 健作
(株)東芝ULSI研究所
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家坂 守
(株)東芝ULSI研究所
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石渡 宏明
(株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI事業部
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山口 鉄也
東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
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井原 久典
東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
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山下 浩史
東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
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井上 郁子
東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
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野崎 秀俊
東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
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大澤 慎治
東芝ULSI研究所 研究第三部
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野崎 秀俊
東芝総合研究所
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佐久間 尚志
東芝総合研究所
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新山 貴子
東芝総合研究所
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飯田 義典
東芝ULSI研究所
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伊東 宏
東芝総合研究所
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原田 望
東芝
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野崎 秀俊
株式会社東芝総合研究所
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中村 信男
株式会社東芝 システムlsi統括部
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飯田 義典
東芝 ULSI研究所
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山口 鉄也
東芝 ULSI研究所
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野崎 秀俊
東芝 総合研究所
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古川 章彦
東芝 ULSI研究所
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江川 佳孝
東芝
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山下 浩史
株式会社東芝
著作論文
- CMOSイメージセンサーにおける低電圧駆動埋め込みPDの解析
- CMOSイメージセンサにおける低電圧駆動埋込みPDの解析 : 埋込みPD構造による低リーク電流の検討(イメージセンシング技術)
- CMOSイメージセンサーにおける埋め込みPD構造の開発 : 埋め込みPD技術とCMOSセンサープロセスによるPDリーク電流の低減
- 3)3.7ミクロン角CMOSイメージセンサ(〔情報センシング研究会 コンシューマエレクトロニクス〕合同)
- 2)CMOSイメージセンサーにおける混色のシミュレーション解析(情報センシング研究会 : マルチメディア入力関連および一般)
- 3.7ミクロン角CMOSイメージセンサ
- 10)スタックCCDの光電変換膜における欠陥密度減少に伴う画素電極端での電界集中問題とその改善([情報入力研究会 情報ディスプレイ研究会]合同)
- スタックCCDの光電変換膜における欠陥密度減少に伴う画素電極端での電界集中問題とその改善
- スタックCCDの光電変換膜における欠陥密度減少に伴う画素電極端での電界集中問題とその改善
- スタックCCDの光電変換膜における欠陥密度減少に伴う画素電極端での電界集中問題とその改善
- 3)2/3インチ200万画素スタックCCD([情報入力研究会コンシューマエレクトロニクス研究会]合同)
- 2/3インチ200万画素スタックCCD : 情報入力,コンシューマエレクトロニクス
- アモルファスSi積層型200万画素CCDイメ-ジセンサ (ULSI基盤技術)
- 6)HDTV用200万画素積層構造CCDイメージセンサ(〔テレビジョン方式・回路研究会 テレビジョン電子装置研究会〕合同)
- HDTV用200万画素積層構造CCDイメージセンサ : 方式・回路 : 電子装置
- 2-4 アモルファスシリコン膜積層型200万画素CCDイメージセンサ
- CMOSイメージセンサーにおける混色のシミュレーション解析
- 2)a-Siホトダイオードの過渡光電流特性とundoped a-Si : H膜特性との関係(情報入力研究会)
- a-Siホトダイオードの過度光電流特性とundoped a-Si : H膜特性との関係
- 層流方式光CVD装置により成膜されたアモルファスシリコン膜特性の解析
- 2)層流方式光CVD法によるアモルファスシリコン膜形成方法(情報入力研究会)
- 層流方式光CVD法によるアモルファスシリコン膜形成方法 : 情報入力
- IEDM'90