CMOSイメージセンサーにおける埋め込みPD構造の開発 : 埋め込みPD技術とCMOSセンサープロセスによるPDリーク電流の低減
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概要
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We have developed CMOS image sensor which has high sensitive comparable to CCD imagers by realizing a very low leakage photo-diode. A low dark current of 0.1 nA/cm2 in 5.6 μm□ pixel has been achieves by a pinned photodiode structure and a sensor-specified process for a 1/4-inch 330 K pixel CMOS image sensor. The noise floor of the imager has also been reduced by an appropriate circuit design in the readout path.
- 1999-07-30
著者
-
野崎 秀俊
株式会社東芝セミコンダクター社 システムlsi事業部
-
井上 郁子
株式会社東芝セミコンダクター社 システムlsi事業部
-
山下 浩史
(株)東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
宮川 良平
株式会社東芝セミコンダクター社 システムLSI事業部
-
井上 郁子
(株)東芝先端半導体デバイス研究所研究第1担当
-
宮川 良平
(株)東芝研究開発センター ULSI研究所
-
山口 鉄也
(株)東芝研究開発センター ULSI研究所
-
井原 久典
(株)東芝研究開発センター ULSI研究所
-
野崎 秀俊
(株)東芝研究開発センター ULSI研究所
-
井上 郁子
(株)東芝セミコンダクター社
-
井原 久典
(株)東芝 セミコンダクター社システムlsi事業部 システムlsi統括第一部
-
山口 鉄也
(株)東芝 セミコンダクター社システムlsi事業部 システムlsi統括第一部
-
宮川 良平
(株)東芝 研究開発センター
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