層流方式光CVD装置により成膜されたアモルファスシリコン膜特性の解析
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概要
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HDTV撮像素子として開発している2/3インチ200万画素スタックCCDの光電変換部に用いられるアモルファスSi膜を層流方式光CVD法により形成した。成膜されたアモルファスSi膜特性の解析を行い、成膜種のSiH_3、ラジカルの2次反応により生成されるSiH_2ラジカルが膜特性に大きく影響を与えることが分かった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-12-08
著者
-
野崎 秀俊
株式会社東芝セミコンダクター社 システムlsi事業部
-
飯田 義典
(株)東芝研究開発センター
-
古川 章彦
(株)東芝研究開発センター
-
石塚 芳樹
(株)東芝研究開発センター
-
山口 鉄也
(株)東芝研究開発センター ULSI研究所
-
野崎 秀俊
(株)東芝研究開発センター ULSI研究所
-
山口 鉄也
(株)東芝 セミコンダクター社システムlsi事業部 システムlsi統括第一部
-
古川 章彦
(株)東芝 研究開発センター Ulsi研究所
-
石塚 芳樹
(株)東芝 研究開発センター Ulsi研究所
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