層流方式光CVD法によるアモルファスシリコン膜形成方法 : 情報入力
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概要
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A new, laminar flow photochemical vapor deposition method has been applied to prepare a-Si:H films The main feature of this method is introduction of Argon gas as a flow down gas through the lower part of the quartz window into the reaction chamber to keep the window highly transparent. The high deposition rate has been stably maintained Utilizing this method, high quality a-Si:H (i) films with high resistivity, low dangling bond density have been realized.
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1991-12-20
著者
-
野崎 秀俊
株式会社東芝セミコンダクター社 システムlsi事業部
-
山口 鉄也
(株)東芝 セミコンダクター社システムlsi事業部 システムlsi統括第一部
-
飯田 義典
東芝 ULSI研究所
-
山口 鉄也
東芝 ULSI研究所
-
野崎 秀俊
東芝 総合研究所
-
古川 章彦
東芝 ULSI研究所
-
古川 章彦
(株)東芝 研究開発センター Ulsi研究所
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