2)a-Siホトダイオードの過渡光電流特性とundoped a-Si : H膜特性との関係(情報入力研究会)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1990-01-20
著者
-
野崎 秀俊
株式会社東芝セミコンダクター社 システムlsi事業部
-
伊東 宏
東芝
-
新山 貴子
東芝
-
野崎 秀俊
東芝
-
飯田 義典
東芝
-
佐久間 尚志
東芝
-
佐久間 尚志
(株)東芝研究開発センター ULSI研究所
-
新山 貴子
(株)東芝研究開発センター Ulsi研究所
関連論文
- CMOSイメージセンサーにおける低電圧駆動埋め込みPDの解析
- a-Si TFTを用いた9.5インチカラー液晶ディスプレイ( 平面型ディスプレイ技術)
- 1)アクティブマトリックス型液晶ディスプレイにおけるアドレスライン抵抗の影響(画像表示研究会(第106回))
- アクティブマトリックス形液晶ディスプレイにおけるアドレスライン抵抗の影響
- 1)9.5インチ液晶カラーディスプレイ(テレビジョン電子装置研究会(第139回))
- 9.5インチ液晶カラーディスプレイ
- CMOSイメージセンサにおける低電圧駆動埋込みPDの解析 : 埋込みPD構造による低リーク電流の検討(イメージセンシング技術)
- CMOSイメージセンサーにおける埋め込みPD構造の開発 : 埋め込みPD技術とCMOSセンサープロセスによるPDリーク電流の低減
- 3)3.7ミクロン角CMOSイメージセンサ(〔情報センシング研究会 コンシューマエレクトロニクス〕合同)
- 2)CMOSイメージセンサーにおける混色のシミュレーション解析(情報センシング研究会 : マルチメディア入力関連および一般)
- 3.7ミクロン角CMOSイメージセンサ
- 10)スタックCCDの光電変換膜における欠陥密度減少に伴う画素電極端での電界集中問題とその改善([情報入力研究会 情報ディスプレイ研究会]合同)
- スタックCCDの光電変換膜における欠陥密度減少に伴う画素電極端での電界集中問題とその改善
- スタックCCDの光電変換膜における欠陥密度減少に伴う画素電極端での電界集中問題とその改善
- スタックCCDの光電変換膜における欠陥密度減少に伴う画素電極端での電界集中問題とその改善
- 3)2/3インチ200万画素スタックCCD([情報入力研究会コンシューマエレクトロニクス研究会]合同)
- 2/3インチ200万画素スタックCCD : 情報入力,コンシューマエレクトロニクス
- アモルファスSi積層型200万画素CCDイメ-ジセンサ (ULSI基盤技術)
- 6)HDTV用200万画素積層構造CCDイメージセンサ(〔テレビジョン方式・回路研究会 テレビジョン電子装置研究会〕合同)
- HDTV用200万画素積層構造CCDイメージセンサ : 方式・回路 : 電子装置
- 2-4 アモルファスシリコン膜積層型200万画素CCDイメージセンサ
- 5)1/4インチVGA対応33万画秦CMOSイメージセンサー(〔情報入力研究会 コンシューマエレクトロニクス研究会〕合同)
- CMOSイメージセンサーにおける混色のシミュレーション解析
- 2)a-Siホトダイオードの過渡光電流特性とundoped a-Si : H膜特性との関係(情報入力研究会)
- a-Siホトダイオードの過度光電流特性とundoped a-Si : H膜特性との関係
- 3-2 低閾電圧緑色発光薄膜直流エレクトロルミネッセンス素子(3.ELディスプレイ)(JAPAN DISPLAY'83記念特集)
- 層流方式光CVD装置により成膜されたアモルファスシリコン膜特性の解析
- 2)層流方式光CVD法によるアモルファスシリコン膜形成方法(情報入力研究会)
- 層流方式光CVD法によるアモルファスシリコン膜形成方法 : 情報入力
- IEDM'90