井原 久典 | (株)東芝 セミコンダクター社システムlsi事業部 システムlsi統括第一部
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概要
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井原 久典
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著作論文
- CMOSイメージセンサーにおける低電圧駆動埋め込みPDの解析
- CMOSイメージセンサーにおける埋め込みPD構造の開発 : 埋め込みPD技術とCMOSセンサープロセスによるPDリーク電流の低減
- 3)3.7ミクロン角CMOSイメージセンサ(〔情報センシング研究会 コンシューマエレクトロニクス〕合同)
- 2)CMOSイメージセンサーにおける混色のシミュレーション解析(情報センシング研究会 : マルチメディア入力関連および一般)
- 3.7ミクロン角CMOSイメージセンサ
- 10)スタックCCDの光電変換膜における欠陥密度減少に伴う画素電極端での電界集中問題とその改善([情報入力研究会 情報ディスプレイ研究会]合同)
- スタックCCDの光電変換膜における欠陥密度減少に伴う画素電極端での電界集中問題とその改善
- スタックCCDの光電変換膜における欠陥密度減少に伴う画素電極端での電界集中問題とその改善
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- 3)2/3インチ200万画素スタックCCD([情報入力研究会コンシューマエレクトロニクス研究会]合同)
- 2/3インチ200万画素スタックCCD : 情報入力,コンシューマエレクトロニクス
- 高感度CMOSイメージセンサ(アナログ・デジアナ・センサ, 通信用LSI)
- 高感度CMOSイメージセンサ
- CMOSイメージセンサーにおける混色のシミュレーション解析
- 18-1 低残像積層型CCDセンサー
- N doped a-Si:H層による積層型固体撮像素子の高輝度残像特性の改善 : 情報入力,情報ディスプレイ,コンシューマエレクトロニクス
- 2/3インチ40万画素低残像積層型CCDイメージセンサー