N doped a-Si:H層による積層型固体撮像素子の高輝度残像特性の改善 : 情報入力,情報ディスプレイ,コンシューマエレクトロニクス
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概要
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N doped hydorogenated amorphous silicon has been newly introduced between pixel electrode and undoped hydrogenated amorphous silicon. The amount of injection charge with new strucure is larger than that of the conventional structure. Therefore, only 10 volts is needed to eliminate the high-light image lag as opposed o the conventional structure which required as much as 18 volts.
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1992-11-26
著者
-
松長 誠之
(株)東芝研究開発センターULSI研究所
-
井原 久典
(株)東芝研究開発センター ULSI研究所
-
松長 誠之
株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所 デバイス技術研究所
-
松長 誠之
(株)東芝ulsi研究所
-
井原 久典
(株)東芝 セミコンダクター社システムlsi事業部 システムlsi統括第一部
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