2/3インチ40万画素低残像積層型CCDイメージセンサー
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概要
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アモルファスシリコン積層型CCDイメージセンサーは高感度,低スミアという優れた特性を有する一方で,高輝度の被写体を撮像した時に生じる高輝度残像と,逆バイアスされた蓄積ダイオードで発生するリーク電流による団体パターン雑音という2つの課題が残っていた。今回筆者等は,アモルファスシリコン内にバイアス電荷を注入して,内部のエネルギー準位を予め不活性化させるとにより,高輝度残像を視認限界以下に抑圧することができた。また,センサーレイアウトをFIT構造とすることで,蓄積ダイオードの逆バイアス電圧0.6Vに減少させることが可能になり,固定パターン雑音を従来の1, 10の30電子_p-p>に低減することができた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-10-22
著者
-
佐々木 道夫
(株)東芝
-
佐々木 道夫
東芝研究開発センター
-
松長 誠之
東芝研究開発センター
-
松長 誠之
株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所 デバイス技術研究所
-
松長 誠之
東芝 研開セ
-
松長 誠之
(株)東芝ulsi研究所
-
井原 久典
(株)東芝 セミコンダクター社システムlsi事業部 システムlsi統括第一部
-
井原 久典
東芝研究開発センター材料デバイス研究所
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