2/3インチ200万画素スタックCCD
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概要
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HDTV撮像素子として2, 3インチ200万画素スタックCCDを開発した。FIT構造にa-Si膜を積層する構造により-14OdBという、従来型CCD素子の限界を越える、非常に低いスミア特性を実現した。積層型素子の弱点であった残像特性については、蓄積ダイオードへのバイアス電荷の注入リセット動作とa-Si膜特性の向上により、事実上問題ないレベルである0.4%まで低減した。さらに、新しい駆動法(DES方式)により90dBのワイドダイナミックレンジと、従来の約10倍の動解像度を実現した。
- 1994-08-26
著者
-
中村 信男
株式会社東芝 セミコンダクター社 システムlsi設計技術統括部
-
松長 誠之
東芝
-
井上 郁子
株式会社東芝セミコンダクター社 システムlsi事業部
-
山下 浩史
(株)東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
佐々木 道夫
(株)東芝
-
遠藤 幸雄
(株)東芝
-
遠藤 幸雄
東芝
-
宮川 良平
株式会社東芝セミコンダクター社 システムLSI事業部
-
江川 佳孝
東芝 セミコンダクター社
-
遠藤 幸雄
東芝超LSI研究所
-
大場 英史
東芝研究開発センターulsi研究所
-
飯田 義典
東芝研究開発センター
-
山下 浩史
東芝研究開発センター
-
佐々木 道夫
東芝研究開発センター
-
大澤 慎治
東芝研究開発センター
-
宮川 良平
東芝研究開発センター
-
中村 信男
東芝研究開発センター
-
遠藤 菜穂子
東芝研究開発センター
-
松長 誠之
東芝研究開発センター
-
江川 佳孝
東芝研究開発センター
-
遠藤 幸雄
東芝研究開発センター
-
井上 郁子
東芝研究開発センター
-
松長 誠之
株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所 デバイス技術研究所
-
松長 誠之
東芝 研開セ
-
松長 誠之
(株)東芝ulsi研究所
-
大澤 慎治
(株)東芝
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