1/4インチVGA対応33万画素CMOSイメージセンサー
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概要
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Cell circuit and pattern layout for CMOS image sensor was studied in view of minimizing cell area. Capacitor address cell and 1 transistor 1 capacitor cell can be designed other than conventional transistor address cell. We estimated theoretical minimum cell size for each types of cell and applied this result to realize 5.6μm cell by 0.6μm design rule. Then 330k pixel VGA format CMOS image sensor could be fabricated in 1/4 inch optical format and good reproduced image was obtained with 700mV of saturation level and 1mVp-p of fixed pattern noise.
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1997-03-14
著者
-
中村 信男
株式会社東芝 セミコンダクター社 システムlsi設計技術統括部
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三浦 浩樹
株式会社東芝 セミコンダクター社 システムLSI事業部 システムLSI統括第一部
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大場 英史
東芝研究開発センターulsi研究所
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飯田 義典
東芝研究開発センター
-
中村 信男
東芝研究開発センター
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馬渕 圭司
東芝研究開発センターULSI研究所
-
三浦 浩樹
東芝研究開発センターULSI研究所
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