1-2 積層型CCDセンサーのランダム雑音抑圧セルの検討

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概要

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• A new type image sensor cell which can reduce a random noise, has been proposed and evaluated with a cell test element. The new type cell structure is featured by the signal voltage feedback gate (FBG). The FBG is inserted between a storage diode and a CCD register, and it controls the signal read-out channel potential. The random noise which occurs at the signal charge storage diode has been reduced from 42 electrons [rms] to 18 electrons [rms] for 5 fF storage diode capacitance.

• 社団法人映像情報メディア学会の論文
• 1996-07-17

著者

• 中村 信男

  株式会社東芝 セミコンダクター社 システムlsi設計技術統括部

• 松長 誠之

  東芝

• 松長 誠之

  (株)東芝研究開発センターULSI研究所

• 大澤 慎治

  (株)東芝セミコンダクター社システムLSI事業部システムLSI統括第一部

• 中村 信男

  (株)東芝

• 松長 誠之

  株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所 デバイス技術研究所

• 松長 誠之

  東芝 研開セ

• 松長 誠之

  (株)東芝ulsi研究所

• 大澤 慎治

  (株)東芝

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