6)容量性残像のない200万画素PSID(〔情報入力研究会コンシューマエレクトロニクス研究会〕合同)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1992-07-20
著者
-
松長 誠之
東芝
-
井上 郁子
株式会社東芝セミコンダクター社 システムlsi事業部
-
山下 浩史
(株)東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
柴田 英紀
(株)東芝 Ulsi研究所
-
宮川 良平
株式会社東芝セミコンダクター社 システムLSI事業部
-
山下 浩史
東芝
-
井上 郁子
東芝
-
柴田 英紀
東芝
-
宮川 良平
東芝
-
能見 菜穂子
(株)東芝 ULSI研究所
-
能見 菜穂子
東芝
-
松長 誠之
株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所 デバイス技術研究所
-
松長 誠之
東芝 研開セ
-
松長 誠之
(株)東芝ulsi研究所
関連論文
- 千鳥配置型シェアードピクセル構成及びFD昇圧動作を備えた1/2.5インチ8M CMOSイメージセンサ(固体撮像技術および一般)
- 極薄膜NO Oxynitrideゲート絶縁膜とNi SALICIDEプロセスを用いた高性能35nmゲート長CMOS
- 積層型CCDセンサのランダム雑音の解析(固体撮像とその関連技術)
- 1)積層型CCDセンサのランダム雑音の解析(〔情報入力研究会 コンシューマエレクトロニクス研究会〕合同)
- 積層型CCDセンサのランダム雑音の解析 : 固体撮像関連 : 情報入力 : コンシューマエレクトロニクス
- プリプロセス形CCDイメージセンサ : 画素加算形1/3インチ16万画素CCD撮像素子 : 情報入力
- CMOSイメージセンサーにおける低電圧駆動埋め込みPDの解析
- CMOSセンサにおけるトランスファゲート負バイアス印加時の暗電流解析(携帯電話用カメラ,デジタルスチルカメラ,ビデオカメラ(ハイビジョン)とそのためのイメージセンサ,モジュール)
- CMOSイメージセンサにおける低電圧駆動埋込みPDの解析 : 埋込みPD構造による低リーク電流の検討(イメージセンシング技術)
- CMOSイメージセンサーにおける埋め込みPD構造の開発 : 埋め込みPD技術とCMOSセンサープロセスによるPDリーク電流の低減
- 3)3.7ミクロン角CMOSイメージセンサ(〔情報センシング研究会 コンシューマエレクトロニクス〕合同)
- 2)CMOSイメージセンサーにおける混色のシミュレーション解析(情報センシング研究会 : マルチメディア入力関連および一般)
- 3.7ミクロン角CMOSイメージセンサ
- 3-12 a-Si膜積層型CCDイメージセンサーの残像特性
- 4)プリプロセス型CCDイメージセンサ : 画素加算型1/3インチ16万画素CCD撮像素子(情報入力研究会)
- プリプロセス型CCDカメラ : CCDカメラの高感度化と広ダイナミックレンジ化
- カラーシンクロビジョンCCDイメージセンサ(固体撮像技術)
- 単層メタル電極CCDイメージセンサの検討(固体撮像とその関連技術)
- 5-7 2/3イン200万画素スタックCCDの固定パターン雑音の低減
- 27-1 2/3インチ200万画素スタックCCD実験カラーカメラ
- 3)2/3インチ200万画素スタックCCD([情報入力研究会コンシューマエレクトロニクス研究会]合同)
- 2/3インチ200万画素スタックCCD : 情報入力,コンシューマエレクトロニクス
- 容量性残像のない200万画素PSID : 情報入力,コンシューマエレクトロニクス
- 2-12 CCD用高感度電荷検出器
- 2-4 アモルファスシリコン膜積層型200万画素CCDイメージセンサ
- 2/3インチ200万画素スタックCCDカラーカメラの高ダイナミックレンジ化(固体撮像とその関連技術)
- 2/3インチ200万画素スタックCCD
- 3-12 1/2インチカメラ用IT-CCDイメージセンサ
- 2)ハイビジョン用スタックCCDセンサの雑音抑圧信号処理
- 2)200万画素積層型センサーのダイナミック電子シャッタ方式(情報入力研究会)
- ハイビジョン用スタックCCDセンサの雑音抑圧信号処理 : 情報入力 : 情報ディスプレイ : コンシューマエレクトロニクス
- 200万画素積層型センサのダイナミック電子シャッタ方式 : 高精細関連 : 情報入力
- 18-2 積層型CCDセンサのダイナミック電子シャッタ方式の検討
- 1-3 単層電極四相CCDの検討
- 2)単層電極CCDイメージセンサ(〔情報入力研究会 コンシューマエレクトロニクス研究会〕 合同)
- 単層電極CCDイメージセンサ
- 9)単層電極CCDの転送効率の解析(〔情報入力研究会 情報ディスプレイ研究会〕合同)
- 単層電極CCDの転送効率の解析 : 情報入力,情報ディスプレイ
- 単層電極CCDの転送効率の解析
- 3次元ジェスチャ認識用CMOSイメージセンサ
- CMOSイメージセンサーにおける混色のシミュレーション解析
- 6)容量性残像のない200万画素PSID(〔情報入力研究会コンシューマエレクトロニクス研究会〕合同)
- CCD研究から見た単電子デバイス
- 9)MS型(磁界集束・電界偏向型)撮像管における電子光学特性の近似解析(テレビジョン電子装置研究会(第127回)画像表示研究会(第87回))
- MS型(磁界集束・電界偏向型)撮像管における電子光学特性の近似解析
- マルチ蓄積時間受光素子(固体撮像とその関連技術)
- 7)電荷により時系列演算を行うスマートセンサー(情報入力研究会 情報ディスプレイ研究会合同)
- 3.情報入力(テレビジョン年報)
- 18-1 低残像積層型CCDセンサー
- 3) スタックCCDセンサの固定パターン雑音の低減(〔情報入力研究会情報ディスプレイ研究会コンシューマエレクトロニクス研究会〕合同)
- スタックCCDセンサの固定パターン雑音の低減 : 情報入力,情報ディスプレイ,コンシューマエレクトロニクス
- 2)低暗電流スタックCCDセンサ検討(情報入力研究会)
- 低暗電流スタックCCDセンサの検討 : 情報入力
- 6)インターライン転送形2/3インチ単板カラー用CCDイメージセンサー((テレビジョン方式・回路研究会(第69回)テレビジョン電子装置研究会(第98回))合同)
- インターライン転送形2/3インチ単板カラー用CCDイメージセンサー
- 1.情報入力(テレビジョン年報)
- 2.情報入力(テレビジョン年報)
- 若手技術者座談会
- 2)CMOSイメージセンサのノイズキャンセル回答(情報センシング研究会)
- CMOSイメージセンサのノイズキャンセル回路
- 高感度CMOSイメージセンサの開発(イメージセンシング技術)
- 5)不完全転送型フォトダイオードのランダムノイズの低減(情報入力研究会コンシューマエレクトロニクス研究会合同)
- 1-2 積層型CCDセンサーのランダム雑音抑圧セルの検討
- 不完全転送型フォトダイオードのランダムノイズの低減
- 5.CMOSイメージセンサの将来( インテリジェント化を目指す電子の目 CMOSイメージセンサ)
- 18-3 積層型CCDセンサのknee特性の検討
- CCD用高感度電荷検出器
- 4-14 CCDセンサのCDS回路オンチップ化
- 3-13 2/3インチ28万画素IT-CCDイメージセンサ
- 3-6 1/2″IT-CCDイメージセンサの性能改善
- 3-11 CCDセンサの低ノイズ化
- 1984ISSCC
- CMOSイメージセンサ
- CMOSセンサはCCDセンサを超えられるか?
- 3)FIT-CCDセンサの垂直解像度の改善(〔情報入力研究会情報ディスプレイ研究会コンシューマエレクトロニクス研究会〕合同)
- N doped a-Si:H層による積層型固体撮像素子の高輝度残像特性の改善 : 情報入力,情報ディスプレイ,コンシューマエレクトロニクス
- CCDイメ-ジセンサの雑音抑圧方法 (CCDイメ-ジセンサと応用技術)
- CMOSイメージセンサ技術
- CMOSイメージセンサ技術
- 3)スタックCCDの雑音解析(情報入力研究会)
- スタックCCDの雑音解析 : 雑音・残像解析と抑圧
- FIT-CCDセンサの垂直解像度の改善
- 4)CCD用高感度電荷検出器(情報入力研究会)
- 埋め込みチャネルCCDの一次元解析(第2報) : 2相BCCDのバリヤの検討
- 埋め込みチャネルCCDの縮小化と二次元効果
- 埋め込みチャネルCCDの一次元解析
- 2/3インチ40万画素低残像積層型CCDイメージセンサー