3-3 In_2O_3透明ゲート電極MOSキャパシタの光応答
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1981-06-20
著者
関連論文
- 次世代画像入力技術(映像情報メディア年報)
- 5.次世代画像入力(5.次世代画像入力)(映像情報メディア年報)
- 5.次世代画像入力(映像情報メディア年報)
- 11.次世代画像入力(テレビジョン年報)
- 次世代ディジタルカメラの技術動向
- 4)Au/p型α-SiC : H/α-Si : H/n型C-Si構造フォトダイオードにおける光電流・暗電流のn型C-Si不純物濃度依存性(情報センシング研究会)
- Au/p型a-SiC : H/a-Si : H/n型c-Si構造フォトダイオードにおける光電流・暗電流のn型c-Si不純物濃度依存性
- 12-6 バンドオフセットを持つa-Si : H系傾斜フォトダイオード
- 5)α-Si : H/α-Si_Cx : H傾斜超格子構造を用いた光電変換膜による光電流増倍(情報センシング研究会)
- a-SiC:H/c-Siヘテロ接合バンドオフセットを利用したアバランシェフフォトダイオード
- Si : H/a-Si_C_x : H傾斜超格子構造を用いた光電変換膜による光電流増倍
- 2-2 バンドオフセットを持つa-Si : H系傾斜フォトダイオードの光電変換特性
- a-Si:H/a-Si_1-xC_x:H傾斜構造を用いた光電変換膜による光電流増倍
- 2-17 アバランシェ増幅型固体撮像素子の出力変動
- 2-16 アバランシェ増幅型固体撮像素子の動作解析
- アバランシェ増幅型光センサーの電荷蓄積動作シミュレーション
- アバランシェ増幅型センサの動作モード : 電子装置 : 画像表示(画像デバイス)
- 2-10 電荷蓄積モードで動作するアバランシェ・ホトダイオードの出力ゆらぎ
- 4-6 アバランシェ・ホトダイオードによる新しい撮像動作
- 4-5 アバランシェ・ホトダイオードの電荷蓄積動作-計算機シュミレーション
- MOSFETのサブ閾値領域の特性を利用した対数的光電変換素子(論文固体撮像技術)
- MOSFETのサブスレッショルド特性を利用した対数的光電変換素子 : 情報入力,コンシューマエレクトロニクス
- 2-3 MOS-FETのサブスレッショルド特性を利用した対数的光電変換素子
- 5)オプティカルフロー検出の精度向上とデバイスへの応用(情報入力研究会)
- オプティカルフロー検出の精度向上とデバイスへの応用
- 10-7 勾配法によるオプティカルフロー検出一手法
- 3-1 撮像・記憶デバイスの構成と書き込み感度
- 導電性ダイアモンド状炭素膜を被覆した微小電子源の電子放出特性
- 7)電界放出微小エミッタを用いた高感度光検出素子 : 広ダイナミックレンジ化
- 2-1 電界放出型光検出素子の広ダイナミックレンジ化
- 電界放出微小エミッタを用いた高感度光検出素子 : 広ダイナミックレンジ化
- 電界放出微小エミッタを用いた高感度光検出素子 : 広ダイナミックレンジ化
- 電界放出微小エミッタを用いた高感度光検出素子 : 広ダイナミックレンジ化
- 2-1 堆積ボルカノ型エミッタの電子放出特性
- 3-11 a-Siを用いた撮像管
- アバランシェ増幅型固体撮像素子の動作と光電変換特性 : 情報入力情報ディスプレイ(画像変換装置特集)
- 4-13 マルチフローティングゲート電荷検出法と雑音
- 網膜の機能を組み込んだ画像入力デバイスの検討
- 3-2 対数的光電変換と空間微分
- NEA冷陰極の放出電子密度分布
- 22-2 a-Si_3N_4膜をブロッキング層としたSAM型a-Si : H薄膜フォトダイオード
- a-Si : H/a-SiC : Hヘテロ接合SAM型 : フォトダイオードの光電流増倍
- 2-1 低電圧駆動の高利得a-Si : H光センサ
- 1-9 a-Si : H, a-SiC : H埋め込みp-i-nフォトダイオードのセンサ特性
- 9-3 撮像(9.材料およびデバイス)(テレビジョン年報)
- イメ-ジセンサへの応用を目指した傾斜構造を持つアバランシェ増幅型光電変換膜 (特集 傾斜機能材料)
- 3-2 非破壊読出し可能な固体撮像デバイスの一絵素の考察
- 2-2 In_2O_3透明ゲート電極を用いたシリコンMOS光ダイオード
- RFスパッタによるIn_2O_3透明電極MOSダイオードとその分光感度
- 3-1 アバランシェホトダイオードの光励起電荷蓄積動作
- 5-4 アモルファスシリコン光導電膜の光電流増倍
- 次世代画像入力技術の実現にむけて (次世代の通信・放送・産業を担う先端的画像入力技術) -- (次世代画像入力技術のイメ-ジと課題)
- HDTV撮像デバイス技術 (高精細・高品質画像入力技術特集号)
- 2-4 a-Si : H p-i-n(SI sub.)アバランシェフォトダイオードの光電流増倍および暗電流発生機構の検討
- 2-3 a-Si傾斜超格子フォトダイオードの光電流特性
- 2-2 電界放出型微小エミッタを用いた高感度光電面の製作
- 3)α-Si : H傾斜超格子フォトダイオードの光電流増倍(情報入力研究会)
- a-Si : H傾斜超格子フォトダイオードの光電流増倍
- 5-2 a-Si : H傾斜超格子フォトダイオードの光電流増倍
- 3-1 MNOS光メモリ素子の光書き込み特性
- 電界放出微小電子源型高感度光センサの広ダイナミックレンジ化(■固体撮像とその関連技術)
- バンドオフセットを持つa-Si:H系傾斜薄膜を用いたアバランシェ増幅型光センサ
- 12-4 5ミクロン以上の赤外光を検出可能な電子放出デバイスの研究
- ディジタルカメラに関連した画像入力技術の動向
- 2-4 ミリコンNEA冷陰極の電子ビーム特性
- 5.撮像・センシング技術の21世紀への期待と課題(20世紀の撮像・センシング技術と21世紀への期待と課題)
- 国際画像入力シンポジウム報告
- 3-2 Siホトダイオードの表面状態と光感度
- 高精細・高品質画像入力技術序論 (高精細・高品質画像入力技術特集号)
- 4-11 可変空間フィルタ素子の構成
- フローティングゲート形光検出素子(画像変換装置)
- 18-10 CCDとNOR回路を用いたエッジ検出
- 4-14 PVF_2焦電ビジコン電極改良とターゲット熱拡散性の検討
- 3-2 PVF_2焦電ビジコンにおける電子ビーム系の検討
- 2-2 高眞空動作用焦電型ターゲットの構造
- 2-5 高真空で動作する焦電型ビジコンターゲット
- a-Si : Hアバランシェpinフォトダイオードにおける光電流増倍の温度依存性
- 5)pn接合を有するフィールドエミッタの光応答(情報入力研究会)
- pn接合を有するフィールドエミッタの光応答
- 5-3 アバランシェフォトダイオード(APD)を使用した撮像素子の画素構成
- 5-1 電界放出型微小エミッタを用いた光検出
- 1)アモルファスシリコンpinフォトダイオードの高電界特性(〔情報入力技術研究会 情報ディスプレイ研究会〕合同)
- マルチメディアの元祖はテレビジョン
- ゲート構造を有するクレータ型電界放出エミッタの電子放出特性
- アモルファスシリコンpinフォトダイオードの高電界特性 : 情報入力,情報ディスプレイ
- 28-10 SOI基板を用いたフィールドエミッタのマトリックス構造の製作
- 28-7 a-Si : H pinフォトダイオードの光電流増倍
- 5)画像輪郭の極性とその動き検出素子 : 回路モデルの検討
- 3)クレータ型高電流密度シリコンフィールドエミッタの検討(情報入力研究会)
- 画像輪郭の極性とその動き検出素子 : 回路モデルの検討 : 情報入力 : 情報ディスプレイ : コンシューマエレクトロニクス
- クレータ型高電流密度シリコンフールドエミッタの検討 : 撮像デバイス技術および一般 : 情報入力
- 2)アバランシェフォトダイオードの電荷蓄積動作(情報入力研究会情報ディスプレイ研究会)
- リニアセンサ技術の動向(リニアセンサ技術)
- 18-11 輪郭とその動きの検出に関する電子回路モデル
- 17-1 a-Si : H/a-SiC : H傾斜超格子構造フォトダイオードの光電流特性
- 16-1 電界放出型フィールドエミッタ形状の検討
- アバランシェフォトダイオードの電荷蓄積動作 : 画像変換技術関連 : 情報入力 : 情報ディスプレイ
- アバランシェフォトダイオードの電荷蓄積動作
- 3-17 固体撮像素子の光信号乗算器への応用
- 3-18 MNOS形不揮発性メモリを内蔵する撮像素子