バックゲートバイアス制御発振器(BG-VCO)を用いたCMOS PLLクロックパルス発生器
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概要
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基板バイアスを制御することにより発振周波数が制御される41段発振器(Back-Gate-bias voltage-Controlled Oscillator : BG-VCO)を用いて、CMOS PLLクロックパルス発生器を設計、試作、評価した。プロセスは0.5-μm、1層ポリ、3層メタル、シングルウェルCMOS技術である。BG-VCO の各段(インバータ)のFET数(2個)は従来形(4個)の1/2に低減されている。本PLL回路のロックレンジは84.6MHzから99.25MHz、ロック時間は3.1μ秒、電圧感度は6.1MHz/Vであった。基準入力周波数が90MHz、電源電圧が2.5Vの時、ジッタは252p秒(2.26%)であった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-08-17
著者
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