広帯域、低電圧GaAs演算増幅器
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概要
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0.5μm GaAs MESFET技術を用いて、2種類の低電圧動作、広帯域演算増幅器(高利得形と高速形)を設計した。回路構成は両者ともまったく同一だが、新しい差動増幅回路の開発とFETサイズの最適化により、高利得形と高速形を得た。高利得形の開ループ利得A_0は62.1dB、単位利得周波数f_Tは1.54GHz、同相除去比CMRRは63.1dB、消費電力Pは131mWであった。一方、高速形のA_0は57.5dB、f_Tは1.86GHz、CMRRは61.9dB、Pは172mWであった。電源電圧はいずれも±1Vである。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-01-19
著者
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