GaAs DCFL LSIの低消費電力化技術 : 動作時/待期時消費電力は電源電圧の3乗に比例
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概要
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GaAs DCFL回路の特徴は低電圧においても、高速動作ができる点にある。本論文ではまず、閾値電圧V_<th>を電源電圧V_<dd>に比例させると消費電力がV^3_<dd>に比例することを述べる。次に、論理LSIとメモリLSIの消費電力低減法を述べる。V_<dd>とV_<th>を1/αとすると、Pは1/α^3となり、激減するが、最高動作周波数f_cも1/αとなるため、スループットTPも1/αとなる。このスループットの劣化を防止する方法として、α段のパイプラインを導入すれば、Pを1/α^3に低減しつつ、TPを維持できることを述べる。V_<dd>とV_<th>の低減方法はSRAMにも適用でき、そのPを1/α^3に低減する。さらに、新たに開発したメモリセルのデータ保持電圧の低電圧化を導入すると、さらにPを半減できることについても述べる。
- 1995-06-22
著者
-
榎本 忠儀
中央大学理工学部
-
岩田 治也
中央大学
-
榎本 忠儀
中央大学理工学研究所
-
岩田 治也
中央大学理工学部情報工学科
-
廣部 厚紀
中央大学理工学部情報工学科
-
廣部 厚紀
中央大学大学院理工学研究科情報工学専攻 : (現)日本電気(株)
-
山根 史之
中央大学理工学研究所
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