GaAs SRAMの低消費電力化技術とその効果
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概要
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0.5μmGaAs MESFET技術を用いた、4kbit(256w×16bit)SRAMを設計し、その低消費電力化技術を開発した。これまでの手法で設計すると、電源電圧1V動作で、アクセス時間は1.00nsec、消費電力は1,037mWとなった。最も効果的な低消費電力化の対策として、(1)閾値電圧を電源電圧に比例して低減することにより、全貫通電流を低減して、SRAM全体の消費電力を削減する方法、(2)メモリセルのデータ保持電圧を低電圧化して、非活性セルに流れる貫通電流を削減して、消費電力を低減する方法、を提案した。この2つの方法を、前述したSRAMに同時に適用することにより、電源電圧0.5V動作で、消費電力74mWを実現した。これは前述の1V動作SRAMの実に1/14である。尚、アクセス時間は1.85nsecであった。
- 1995-05-25
著者
-
榎本 忠儀
中央大学理工学部
-
岩田 治也
中央大学
-
榎本 忠儀
中央大学理工学研究所
-
岩田 治也
中央大学理工学部情報工学科
-
廣部 厚紀
中央大学理工学部情報工学科
-
廣部 厚紀
中央大学大学院理工学研究科情報工学専攻 : (現)日本電気(株)
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