4kbit 74mW 1.85nsec GaAs SRAM
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概要
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超高速GaAsMPUやDSPのオンチップデータ/命令メモリ用に0.5μmGaAsMESFET技術とE/D-DCFL回路技術を用いて超高速、低消費電力4kbit(256word×16bit)SRAMを設計した。従来の超高速GaAsSRAMは、消費電力が大きいという欠点があった。これは、データ保持のための貫通電流が全メモリセルに常に流れているためで、全体の70%にもなる。最も効果的な低消費電力化の対策は、(1)非活性セルの低電圧による非活性セルの貫通電流の低減と、(2)SRAM全体の低電圧化による全貫通電流の低減である。4kbitSRAMを電源電圧(V_<dd>)1Vで動作させると、読み出しアクセス時間は、1nsec、消費電力は1037mWであった。上記2つの対策を同時に施すと、アクセス時間は1.85nsecとなるが、消費電力は、わずか74mW(1V動作時の7.1%)に減少した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-03-27
著者
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