GaAs DCFL回路の低消費電力化 : 動作時/待期時消費電力は電源電圧の3乗に比例
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概要
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GaAs MESFET DCFL論理回路は低電圧動作にもかかわらず,高速動作が可能である。即ち、低消費電力デバイスであり,かつ電力・遅延積の小さな優れたデバイスである。CMOS論理回路の動作時消費電力Pは電源電圧V_<dd>の2乗に比例することは良く知られている。これに対し、閾値電圧をV_<dd>に比例させると、"GaAs論理回路のPがV_<dd>の3乗に比例する"ことを明らかにする。また,論理回路の動作周波数fはCMOSもGaAsも共にV_<dd>にほぼ比例する。従って、CMOS論理回路の電力・遅延積P/fがV_<dd>に比例するのに対し、GaAs論理回路のそれはV^2_<dd>に比例する。以上の観点から、GaAs論理回路にとって低電圧化は有利である。
- 1995-03-27
著者
-
榎本 忠儀
中央大学理工学部
-
岩田 治也
中央大学
-
榎本 忠儀
中央大学理工学研究所
-
岩田 治也
中央大学理工学部情報工学科
-
廣部 厚紀
中央大学理工学部情報工学科
-
廣部 厚紀
中央大学大学院理工学研究科情報工学専攻 : (現)日本電気(株)
-
山根 史之
中央大学理工学研究所
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