シリコン陽極酸化過程における発光現象の「その場」測定

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概要

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Siを陽極酸化してSiO_2を形成するときの発光を「その場」観察した。陽極酸化中の発光強度は、形成されるSiO_2の膜厚の指数関数に比例して増加した。発光スペクトルは、2.76eV及び3.04eVをピークとする短波長領域(HE)と1.93eVをピークとする長波長領域(LE)から成っている。アモルファスSiと陽極酸化するときも同様の発光スペクトルを示した。また、陽極酸化の進行に従って、LE領域の発光強度は増加するのに対して、HE領域の発光強度は殆ど増加しなかった。HE領域の発光はSiO_2, Si界面におけるホットエレクトロンの発光で、LE領域の発光はSiO_2膜中におけるホットエレクトロンの発光であることがわかった。
社団法人電子情報通信学会の論文
1993-07-26

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