ポリジフェニルシラン配向薄膜の作製・構造・物性
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概要
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摩擦転写法によってポリ(ジフェニルシラン)の配向薄膜を作製した。薄膜の性質は作製時の基板温度に依存していた。200℃付近で最も高配向な薄膜が得られ、それより高温では配向度は急激に低下した。配向薄膜の電子線回折パターンからポリ(ジフェニルシラン)は結晶状態でオールトランス構造をとらないことがわかった。薄膜のスペクトルの温度依存性も調べた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-04-28
著者
-
八瀬 清志
産業技術総合研究所光技術研究部門
-
岡田 祐二
物質研
-
海藤 彰
産業技術総合研究所高分子基盤技術研究センター
-
八瀬 清志
工業技術院物質工学工業技術研究所
-
山平 尚廣
カールツァイス株式会社
-
八瀬 清志
広島大学生物生産学部
-
谷垣 宣孝
産業技術総合研究所 光技術研究部門
-
谷垣 宣孝
工業技術院物質工学工業技術研究所高分子物理部
-
海藤 彰
工業技術院物質工学工業技術研究所高分子物理部
-
岡田 祐二
工業技術院物質工学工業技術研究所高分子物理部
-
ハ瀬 清志
産業技術総合研究所光技術研究部門
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