塗布型有機薄膜トランジスタにおける絶縁膜表面SAM処理の検討(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
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概要
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ポリ(3-ヘキシルチオフェン)(P3HT)薄膜トランジスタのSiO_2ゲート絶縁膜上の自己組織化単分子膜(SAM)処理の検討を行い、絶縁膜の表面自由エネルギーと移動度の相関性を示した。表面自由エネルギーが低いデバイスで高い移動度が得られた。ドコシルトリクロロシラン処理したデバイスにおいては、移動度1.5×10^<-2>cm^2/Vs、オン/オフ比10^5以上が得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-04-17
著者
-
八瀬 清志
産業技術総合研究所光技術研究部門
-
堀井 美徳
独立行政法人産業技術総合研究所光技術研究部門
-
井川 光弘
独立行政法人産業技術総合研究所光技術研究部門
-
坂口 幸一
独立行政法人産業技術総合研究所光技術研究部門
-
近松 真之
独立行政法人産業技術総合研究所光技術研究部門
-
吉田 郵司
独立行政法人産業技術総合研究所光技術研究部門
-
阿澄 玲子
独立行政法人産業技術総合研究所光技術研究部門
-
茂木 弘
財団法人化学技術推進機構
-
北川 雅彦
鳥取大学大学院工学研究科
-
小西 久俊
鳥取大学大学院工学研究科
-
八瀬 清志
独立行政法人産業技術総合研究所光技術研究部門
-
吉田 郵司
産業技術総合研究所光技術研究部門
-
堀井 美徳
独立行政法人産業技術総合研究所光技術研究部門:鳥取大学大学院工学研究科
-
八瀬 清志
広島大学生物生産学部
-
阿澄 玲子
産業技術総合研究所光技術研究部門分子薄膜グループ
-
八瀬 清志
工技院・物質研
-
ハ瀬 清志
産業技術総合研究所光技術研究部門
-
吉田 郵司
産業技術総合研究所
-
茂木 弘
財団法人化学技術推進機構:信越化学工業株式会社
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