高分子隔膜透過電子線励起プラズマによるサブミクロンエッチング加工
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概要
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高分子薄膜を隔膜として有する電子線励起プラズマ(EBEP)プロセス装置を作製した。これは,反応槽と電子銃とを厚さ1.5μmのポリエステル薄膜で分離した装置である。電子銃のタングステンフィラメントから放出された熱電子は加速され,隔膜を通過して,反応槽内に侵入する。反応槽内の電子温度は,プローブ測定により10〜14eVであると見積もられた。スチレン蒸気0.2Torrを反応槽内に導入し,重合膜を堆積させることができた。しかし,隔膜照射電子電流が大きくなると,隔膜の破壊現象が見られた。また,CF_4ガス雰囲気でSiウェハをエッチングし,0.5μmのパターンを転写することができた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-01-13
著者
-
森田 慎三
名古屋大学工学研究科
-
稲浪 良市
名古屋大学先端技術共同研究センター
-
邵 春林
名古屋大学先端技術共同研究センター
-
森田 慎三
名古屋大学工学部電気電子電子情報工学科
-
森田 慎三
名古屋大学
-
森田 慎三
名古屋大学工学部
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