ナノインシュレーションベッドをベースにしたナノワイヤリングプロセス(有機エレクトロニクス・一般)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
ナノメータレベルの寸法を有する配線技術、ナノワイヤリングのプロセスを提案した。バリヤフリーの量子デバイス評価回路として、ナノインシュレーションベッドを提案しているが、ナノワイヤリングプロセスは、このナノインシュレーションベッドをベースに配線回路が作成する方法である。n型Si基板上に、レジストで100nmL&Sの溝を作成し、メッキ材料のNaAuCl_4をエタノールに0.5atom%溶解させ、電界メッキ法によりAuを、その溝に埋める方法で、ナノワイヤ回路の作成を試みた。その結果、100nmL&Sの溝に沿って、Auメッキが出来ることを確認した。今後、ナノインシュレーションベッドの導電性領域への超微細配線のAuメッキ回路の作成を行う。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-01-14
著者
関連論文
- C-S-Au膜の3次非線形電気光学効果特性
- 脂肪酸LB膜レジストを用いたsub 100nmリソグラフィ
- ポリイミド隔膜透過電子線励起ICPによる100nm超微細加工
- C-13-7 PZT強誘電体極性反転放出電子による励起発光素子(C-13.有機エレクトロニクス,一般講演)
- PZT強誘電体極性反転放出電子によるアントラセン励起発光
- ナノワイヤ回路の作成プロセス
- C-3-45 アモルファス炭素中のC-S-Au分子の非線形電気光学効果(C-3. 光エレクトロニクス(パッシブデバイス・モジュール), エレクトロニクス1)
- C-13-3 C-Au-S膜を用いるナノワイヤリングプロセス(C-13.有機エレクトロニクス,エレクトロニクス2)
- 70μmPZT素子の電子放出実験(有機エレクトロニクス・一般)
- 70μmPZT素子の電子放出実験