Ar・CH_4・SF_6混合ガスプラズマCVDによる炭素・硫黄混合膜作成
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概要
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プラズマCVD(PCVD)法により、炭素・硫黄混合膜を作成した。平行平板電極を有する反応槽を用い、放電周波数13.56MHzでアリゴン(Ar)・メタン(CH_4)・六フッ化硫黄(SF_6)の混合ガスを放電し、下部電極上の基板上に炭素・硫黄混合膜を堆積させた。混合膜の原子組成比は混合ガス比に依存し、特定の混合比でフッ素を含まない硫黄含有率が30%を越える混合膜が合成された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-01-21
著者
-
森田 慎三
名古屋大学工学研究科
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松下 雅樹
名古屋大学工学部
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松下 雅樹
名古屋大学大学院 工学研究科
-
カッシェム Md
名古屋大学工学部電気電子情報工学科 464-8603 名古屋市千種区不老町
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森田 慎三
名古屋大学大学院工学研究科
-
森田 慎三
名古屋大学工学部電気電子電子情報工学科
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森田 慎三
名古屋大学
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森田 慎三
名古屋大学大学院 工学研究科
-
松下 雅樹
愛知県立名南工業高等学校 457-0063 名古屋市南区阿原町
-
森田 慎三
名古屋大学工学部
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