プラズマCVD-スパッタリング共同によるC-Cu-S合成金属膜(有機エレクトロニクス・一般)
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概要
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CH_4、SF_6、Ar混合ガスのプラズマCVDと放電電極上のCu金属のスパッタリングを同時に行うことにより、導電性を持つC-Cu-S合成金属膜を作製することが出来た。過去の実験では原子組成比で17%のCuを混入することに成功した。しかし、これはほぼ絶縁体であった。本実験では、実験のプロセスを見直し、以前よりも多くのCuを混入することができたことを報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-01-13
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