ナノワイヤ回路の作成プロセス

概要

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メッキAuナノワイヤを、ナノインシュレーションベッドを介して形成する方法を提案した。ナノインシュレーションベッドは、不純物ドープ半導電性Siウエハを用いて作成される。まず、Siウエハを、リソグラフィ加工して、Auメッキしたいところに、Si柱、または、壁を残した構造を作成する。そして、柱の径、または、壁の厚さが丁度酸化される程度に酸化する。その後、柱、または、壁厚をエッチング除去すると、Siウエハ面上に不均一な酸化深さを有するSiO_2層が形成される。この面をさらにエッチングして、未酸化部分が顔をだすようにする。その結果、Siウエハ上には、酸化Si部分とSi面が残った部分が形成される。Si面の導電性を使用して、Auメッキを行うと、円柱、または、壁に対応したAuメッキ領域が形成される。Auメッキは、エタノールにNaAuCl_4を0.5atom%溶解したものをメッキ液として使用し、Siウエハを負電極にして、導電性領域を介してAu膜がメッキされる。Siウエハ上には、半導電性炭素-硫黄-金(C-S-Au)膜がアンダーコーティングされていると、9V電圧印加によって500nm幅のAu配線が形成されることを確認した。
2006-01-20