プラズマCVD-スパッタリング法によるC-Cu-S膜生成の温度依存性(有機エレクトロニクス・一般)
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概要
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CH_4、SF_6、Ar混合ガスのプラズマCVDとCu製放電電極のスパッタリングを同時に行う方法で、基板温度制御が可能な基板ホルダーを用いて、C-Cu-S膜堆積の基板温度依存性を調べた。室温製膜では、C、Cu、Sの原子組成比は、ほぼ等しくした膜の堆積が可能であった、そして、この膜は導電性を示した。そこで、基板温度を最大400℃まで加熱して、C-Cu-S膜の堆積を試みたところ、基板温度の上昇と共に、硫黄(S)含有率が減少傾向を示し、酸素組成比の急増が観測された。酸素組成比急増の原因として、膜中のCu原子の一様分散状態が指摘できることが示唆された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-01-14
著者
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