高Qアクティブインダクタを用いたLC発振回路の集積回路化
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概要
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受動素子であるインダクタは,集積回路中で非常に広い面積を占有し,また,高いQ値が得られない等の要因により,標準的なCMOSプロセスでの集積回路化には不向きである.このような場合,受動インダクタを等価な能動インダクタへ置き換えることは非常に有効であると考えられる.我々は高いQ値を持ち,さらに,回路のパラメータを調整することで,特定の周波数範囲で負性コンダクタンスを合わせ持ったアクティブインダクタを提案した[1].本稿では,提案したアクティブインダクタとこれを用いたLC発振回路をMOSIS TSMC 0.35μm CMOSプロセスにより集積回路化したので,この測定結果を報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-03-09
著者
-
堀尾 喜彦
東京電機大学 大学院 工学研究科
-
堀尾 喜彦
東京電機大学大学院工学研究科電気電子工学専攻
-
堀尾 喜彦
東京電機大学
-
合原 一幸
東京大学, 工学部計数工学科
-
松田 欣也
東京電機大学 工学部電子工学科
-
合原 一幸
東京大学, CREST
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