フローティングゲートMOSピーキング電流源による一次元離散時間力学系回路
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概要
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フローティングゲート(FG-)MOSFETを用いたピーキング電流源の電圧-電流(V-I)特性を非線形写像関数として用いる一次元離散力時間学系回路を提案する.FG-MOSFETを用いたピーキング電流源を用いればΛ字型およびV字型さらにはN字型のV-I特性が実現でき, かつ, それらの特性が外部電圧により調整可能である.このFG-MOSピーキング電流源を写像関数回路として用いるため, 同一の回路でさまざまな一次元離散時間力学系が構築できる.従って, カオスを含む多様なダイナミクスを容易に得ることが可能である.本論文では, HSPICEを用いたシミュレーションによりΛ字型, V字型, そしてN字型のリターンマップを示し, さらにそれぞれの写像特性を利用した時の分岐特性図を示す.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-01-18
著者
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