フローティングゲートMOSFETを用いたN字型非線形抵抗回路
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概要
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多入力フローティングゲートMOSFETを用いた∧字型とV字型の非線形抵抗回路を応用した, N字型非線形抵抗回路を提案する.提案する回路では3次から7次までの区分線形特性で近似できる多様な電圧-電流特性が実現できる.さらに, それらの特性は回路に与える制御電圧により調整, 変更することが可能である.また, 提案する回路は標準的なCMOS半導体プロセスで集積回路化可能であるため, 発振回路やカオス発生回路の集積回路化に多いに役立つと思われる.本稿では, 提案するN字型非線形抵抗回路で所望のV-I特性を得る方法を定性的に議論する.さらに, 提案する回路のV-I特性の数値シミュレーションおよびHSPICEシミュレーション結果を示す.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-01-22
著者
-
堀尾 喜彦
東京電機大学 大学院 工学研究科
-
堀尾 喜彦
東京電機大学大学院工学研究科電気電子工学専攻
-
堀尾 喜彦
東京電機大学
-
合原 一幸
東京大学, 工学部計数工学科
-
藤原 徹哉
東京電機大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
松田 欣也
東京電機大学 工学部電子工学科
-
合原 一幸
東京大学, CREST
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