疑似フローティングゲート技術を用いたマルチスクロール回路の改良
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概要
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我々は標準的なCMOS半導体プロセスで実装可能なフローティングゲート(FG)MOSFETを用いたマルチスクロール回路を提案した.この回路は,1つもしくは,いくつかの並列接続したN字型非線形抵抗回路,高Q能動インダクタ回路,2つのキャパシタ,そしてMOSFET抵抗で構成されている.この回路では非線形抵抗回路にFGを用いているため,製造工程等で蓄積される電荷によって引き起こされるMOSFETの閾値電圧の変化が問題となる.また,提案回路の構成は簡潔であるが,能動インダクタ回路に大きなキャパシタンス値が必要になってしまう.これらの問題点を改善するため,本論文では非線形抵抗回路に擬似フローティングゲート(QFG)技術を適用する.これによりFGの蓄積電荷によって引き起こされる問題が解決できる.さらに,能動インダクタ回路を改良し,小さな容量値でも以前の回路と同様のインダクタンスを実現できる構成とする.これにより,必要なキャパシタンスを10分の1程度に抑えることができる.結果として,提案回路の小型化が実現できる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-03-19
著者
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