界面処理を施したc軸配向YBCO/PBCO/YBCO積層型接合
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概要
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我々はc軸配向膜を用いたYBCO/PBCO/YBCO積層構造において、界面におけるアニール処理が接合特性に与える影響について調べた。その結果、下部YBCO表面に720℃、40Paのアニール処理を施した接合は、PBCOの膜厚が20nmと比較的薄いにもかかわらず、RSJ的に電流-電圧特性を示し、低い温度では明白なヒステリシスを有した。また、臨界電流は外部磁場に対して90%以上の変調率をもつフラウンホーファーパターンを示した。IcRn積は4.2Kで1.4mVと、界面処理を行わない従来の我々の接合と比べて飛躍的に向上した。従来の接合の場合、PBCOが20nmと薄いときには、両電極間のショートによりRSJ的な特性を示さなかったことから、下部YBCO表面のアニールがリークのないより均一なバリアの形成に重要な役割を果たしていると考えられる。
- 1999-01-27
著者
-
藤巻 朗
名古屋大学
-
丸山 道隆
超伝導工学研究所
-
早川 尚夫
名古屋大学工学研究科
-
早川 尚夫
名古屋大学
-
早川 尚夫
名古屋大
-
丸山 道隆
名大量子工
-
吉田 和弘
名古屋大学工学研究科量子工学専攻
-
丸山 道隆
名古屋大学工学研究科量子工学専攻
-
丸山 道隆
超伝導工学研
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