Tl-Ge-Se系カルコゲナイドガラスの生成と電気的性質
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概要
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Tl-Ge-Se系カルコゲナイドガラスについて, 直流伝導度や熱起電能などの電気的性質を, ガラス転移温度Tgとともに調べた. Tgの組成依存性は, Tl2Se-GeSe2擬二成分系を境にして異なった傾向を示した. すなわち, Tgは, これよりSeの多い領域ではGe含量に, Seの少ない領域ではTl含量に主として依存した. また, 伝導度σ25と伝導の活性化エネルギーEσは, Tl含量とともにほぼ単調に変化した. 一方, ゼーベック係数S25は, すべてのガラスで正であり, 組成Ge20Se45Tl35付近で極小値 (ほぼ0) を示した. 同じ組成域において, 熱起電能の活性化エネルギーEsとEσの間に大きな差異が認められた (Es<Eσ). 以上のようなS25やEsの小さな値は, これらの組成のガラスでは, 電気伝導の荷電担体は主として正孔であるが, 電子の寄与もかなり増加していることを示すものと解釈される.
- 社団法人日本セラミックス協会の論文
- 1986-01-01
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