ナノインデンテーション法によるTiN配向膜の機械的性質の評価
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概要
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TiN films with the(111)and(200)preferred orientations were formed on Si(100)and sapphire(0001)substrates by ion-beam-assisted deposition. In order to clarify the relationship between the preferred orientation of the TiN films and the mechanical properties of the hardness H and the elastic moduli E^*, nano-indentation studies with a Berkovich indenter were carried out. Their experiments revealed significant differences in H and E^* irrespective of substrate materials ; i.e., H_<av>=9GPa, E^*_<av>=192 GPa for the(111)preferred orientation and H_<av>=16GPa, E^*_<av>=316GPa for the(200)preferred orientation. It could be considered that these differences were attributed to the intrinsic crystallographic anisotropy in a TiN crystal.
- 社団法人日本材料学会の論文
- 1999-12-15
著者
-
高橋 裕
三重大
-
松室 昭仁
名古屋大学工学研究科
-
高橋 裕
三重大学工学部機械工学科
-
松室 昭仁
名古屋大学
-
林 敏行
名古屋大学大学院
-
村松 睦生
名古屋大学大学院
-
渡邊 知彦
名古屋大学大学院
-
村松 睦生
名古屋大 院
-
村松 睦夫
名古屋大学大学院
-
渡邊 知彦
名古屋大学工学研究科マイクロシステム専攻
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