イオンビーム支援蒸着法によるTiN薄膜の配向制御
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概要
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Variation in the preferred orientations of Titanium Nitride (TiN) thin films with various experimental conditions (N/Ti transport ratios, N ion incident angles, film thickness and substrate temperature) were investigated. These films were formed on Silicon ( 100) wafers by ion-beam-assisted deposition with the nitrogen ion energies of 1keV. The preferred orientation of TiN films changed from (111) to (200) as the N/Ti transport ratios and the ion incident angles increased. It is considered that this phenomenon is caused by the selective damage of crystal growth due to the energy of bombarding particles. On the other hand, the increase of film thickness led the preferred orientation of the TiN (200) film to (200) plus (220) orientation. Furthertmore, this, orientation changed to (200) again with the heating of the substrate during film preparation. It is considered that these phenomena are caused by the minimization process of the overall energy. So, the heating of the substrate is useful for synthesize of thick TiN (200) films.
- 公益社団法人精密工学会の論文
- 1999-09-05
著者
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山口 勝美
名大
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高橋 裕
三重大
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松室 昭仁
名古屋大学工学研究科
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高橋 裕
三重大学工学部機械工学科
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松室 昭仁
名古屋大学
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林 敏行
名古屋大学大学院
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山口 勝美
(株)t.e.t
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山口 勝美
名古屋大学工学部
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山口 勝美
名古屋大学大学院
-
山口 勝美
名古屋大学
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村松 睦生
名古屋大学大学院
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神崎 昌郎
名古屋大学大学院
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村松 睦生
名古屋大 院
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村松 睦夫
名古屋大学大学院
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