Influence of Substrate Bias Voltage on the Impurity Concentrations in Hf Films Deposited by Ion Beam Deposition Method
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概要
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- Japan Institute of Metalsの論文
- 2006-02-20
著者
-
一色 実
東北大多元研
-
一色 実
東北大工
-
ISSHIKI Minoru
Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University
-
三村 耕司
東北大学多元物質科学研究所
-
三村 耕司
Institute Of Multidisciplinary Research For Advanced Materials Tohoku University
-
Mimura Kouji
Institute Of Multidisciplinary Research For Advanced Materials Tohoku University
-
Mimura Kouji
Institute For Advanced Materials Processing Tohoku University
-
Isshiki Minoru
Institute Of Multidisciplinary Research For Advanced Materials Tohoku University
-
Isshiki Minoru
Instite For Advanced Materials Processing Tohoku University
-
Lim Jae-won
Mineral Resources Research Division Korea Institute Of Geoscience & Mineral Resources
-
Lim J‐w
Tohoku Univ. Sendai Jpn
-
Lim Jae-won
Institute Of Multidisciplinary Research For Advanced Materials Tohoku University
-
BAE Joon
Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University
-
Bae Joon
Institute Of Multidisciplinary Research For Advanced Materials Tohoku University
-
一色 実
東北大選研
-
Isshiki Minoru
Inst. Of Multidisciplinary Res. For Advanced Materials Tohoku Univ.
-
Lim Jae-won
Mineral Resources Res. Div. Korea Inst. Of Geoscience And Mineral Resources
-
Mimura Kouji
Instite for Advanced Materials Processing Tohoku University
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