HWE法による高品質CdTe薄膜単結晶の成長
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概要
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In spite of large lattice mismatch (14.6% at room temperature) and different thermal expansion coefficients, high quality (100) CdTe single crystal films were successfully grown on oriented (100) GaAs substrates by a hot wall epitaxy method. The evaluation of crystallinity and strain relaxation in epilayers were investigated by X-ray diffraction and Photoluminescence at liquid helium temperature. It was found that the strain of the epilayer was relaxed with the increase of epilayer thickness. The origin of a broad deep center emission located at 1.47eV was discussed and the biaxial compressive strain was determined.CdTeGaAshot wall epitaxy (HWE)x-ray diffraction (XRD)photoluminescence (PL)strain
- 東北大学の論文
- 1997-03-28
著者
-
一色 実
東北大学素材工学研究所
-
内田 和喜男
東北大学大学院理学研究科
-
菊池 克
東北大学大学院工学研究科
-
王 吉豊
東北大学素材工学研究所
-
具 本欣
東北大学素材工学研究所
-
三樹 剛
東北大学大学院工学研究科
-
石川 幸雄
東北大学素材工学研究所
-
三村 耕司
東北大学素材工学研究所
-
内田 和喜男
東北大学理学研究科
-
三村 耕司
東北大学多元物質科学研究所
-
一色 実
東北大選研
-
王 吉豊
東北大学多元物質科学研究所
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