Oxidation Mechanism of Copper at 623-1073K
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- Japan Institute of Metalsの論文
- 2002-09-01
著者
-
一色 実
東北大多元研
-
一色 実
東北大工
-
ISSHIKI Minoru
Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University
-
三村 耕司
東北大学多元物質科学研究所
-
三村 耕司
Institute Of Multidisciplinary Research For Advanced Materials Tohoku University
-
Mimura Kouji
Institute Of Multidisciplinary Research For Advanced Materials Tohoku University
-
Mimura Kouji
Institute For Advanced Materials Processing Tohoku University
-
Isshiki Minoru
Instite For Advanced Materials Processing Tohoku University
-
一色 実
東北大選研
-
ZHU Yongfu
Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University
-
Zhu Yongfu
Institute Of Multidisciplinary Research For Advanced Materials Tohoku University
-
Mimura Kouji
Instite for Advanced Materials Processing Tohoku University
関連論文
- 20aHT-6 陽電子プローブマイクロアナライザーによる塑性変形した鉄-銅合金の欠陥分布計測(20aHT 領域10 格子欠陥・ナノ構造(水素,ナノ粒子,金属),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 物理精製研究分野 (1997.1-1997.12)(研究活動報告)
- 物理精製研究分野 (1996. 1-1996. 12)(研究活動報告)
- 亜鉛-鉄-硫黄系の1100,1200Kにおける相平衡
- HWE法による高品質CdTe薄膜単結晶の成長
- 28a-ZF-9 化合物半導体の光検知サイクロトロン共鳴
- 2p-YJ-11 II-VI族半導体の光検知サイクロトロン共鳴
- 6a-E-5 CdTeの光検知サイクロトロン共鳴
- 31a-YK-6 ^Inをイオン注入した純鉄のPAC分光
- 28pPSB-7 ZnSe双晶界面の2次元電子の光学・伝導特性(28pPSB 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24aYT-13 ZnSe双晶界面における自然形成2次元電子の輸送特性 : GaAs/AlGaAsヘテロ構造との比較(量子ホール効果,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- Thermal and Optical Properties of Yb^-Doped Y_2O_3 Single Crystal Grown by the Micro-Pulling-Down Method
- Cu-Ni-Si銅合金の導電率と硬度に及ぼす冷間圧延と微量添加元素の影響
- 高純度Cu-Ti-Al合金における電気伝導性と強度
- 大型プラズマ炉による都市ごみ焼却灰の溶融処理
- Growth and Characterization of Yb^-doped (Lu, Y)AlO_3 Fiber Single Crystals Grown by the Micro-Pulling-Down Method
- 高純度鉄の精製といくつかの特性
- 24pSB-2 170Kと300KにおけるGaAsとCdTe中の共有結合電子のMEMによる可視化 : 第1原理計算との比較
- ナノメートルサイズの転位ループの一次元拡散
- Effect of Ar/Ar-H_2 Plasma Arc Melting on Cu Purification
- 物理精製研究分野 (1995. 1-1995. 12)(研究活動報告)
- Characteristics of Printed Thin Films Using Indium Tin Oxide (ITO) Ink
- 28p-S-10 ZnSe中のドナー不純物による遠赤外磁気光吸収II
- ZnSe中のドナー不純物による遠赤外磁気光吸収
- 28p-A-16 光励起ZnSeにおける正孔のサイクロトロン共鳴
- Influence of Substrate Bias Voltage on the Impurity Concentrations in Hf Films Deposited by Ion Beam Deposition Method
- Interpretation of Dominant Impurities in Cu Films by Secondary Ion Mass Spectrometry and Glow Discharge Mass Spectrometry
- Trace Impurity Analysis in Ta Films Using Glow Discharge Mass Spectrometry : Concentration Change of Impurities by Applying Negative Substrate Bias Voltage
- Agglomeration of Copper Thin Film in Cu/Ta/Si Structure
- Effect of Substrate Bias Voltage on the Thermal Stability of Cu/Ta/Si Structures Deposited by Ion Beam Deposition
- 非質量分離型イオンビームデポジションによるTa拡散バリア膜の作製と評価
- 物理精製研究分野 (2000.1-2000.12)(研究活動報告)
- 物理精製研究分野 (1999.1-1999.12) (研究活動報告)
- Influence of Substrate Bias Voltage on the Properties of Cu Thin Films by Sputter Type Ion Beam Deposition
- Improvement of Ta Barrier Film Properties in Cu Interconnection by Using a Non-mass Separated Ion Beam Deposition Method
- ブリッジマン法によるZnSe単結晶の成長
- 物理精製研究分野 (1998.1-1998.12) (研究活動報告)
- 抽出クロマトグラフィによるLaの分離特性の研究
- 半導体グレード世界最高超高純度鐵およびコバルトの開発
- ICP 発光分光分析における遷移金属元素の発光スペクトル強度に対する酸濃度の影響
- 物理精製研究分野 (1994. 1-1994. 12) (研究活動報告)
- Modeling of Elution Curves in Preparative Chromatography Using Anion-Exchange Resin for Cobalt Purification
- Purification of Manganese Chloride with Chelating Resin Containing Iminodiacetate Groups in Ammonium Chloride Solution
- Copper Purification by Anion-Exchange Separation in Chloride Media
- イオンビームデポジション (IBD) 法で作製した鉄薄膜の超高圧電子顕微鏡による評価
- 27p-H-6 ^Fe Mossbauer効果による純鉄中の点欠陥 II
- 溶媒抽出による鉄の高純度精製
- 鉄の高純度化
- 鉄の高純度精製
- 物理精製研究分野 (1993.1-1993.12) (研究活動報告)
- Cu-Ti-Al合金の時効特性に及ぼす冷間圧延の影響
- 高純度鉄の精製と表面酸化挙動
- 鉄鋼材料の極薄表面層の評価
- 高純度金属における自然酸化膜の評価と制御
- ミニ特集企画にあたって
- Improvement in Oxidation Resistance of Cu-Al Dilute Alloys by Pre-annealing in H_2 and Ar Atmospheres
- Effect of Floating Zone Refining under Reduced Hydrogen Pressure on Copper Purification
- Oxidation Mechanism of Copper at 623-1073K
- Self-Diffusion along Dislocations in Ultra High Purity Iron
- 気-液平衡法による活量制御雰囲気中における溶融鉄の表面張力測定
- 水素-フルゴンプラズマアーク溶解による鉄およびコバルトの脱酸, 脱窒
- 非接触レーザー周期加熱カロリメトリー法による溶融高純度Feの熱物性計測
- 溶解精製法と融液からの結晶成長 (特集 世紀をつなぐ--金属の今とこれから(1)) -- (金属はどのように作り出されるか)
- 化合物半導体バルク単結晶成長と不純物・固有欠陥制御 (特集 材料の進歩と測定技術の進展)
- 半導体 ZnSe単結晶の成長(5)励起子発光による評価
- 2a-A-7 高純度ZnSeのサイクロトロン共鳴(II) : 温度依存性
- 5a-YB-6 気相成長ZnSeの欠陥評価
- 1a-KC-13 高純度ZnSeのサイクロトロン共鳴
- 28a-YK-10 GaAsとCdTeの共有結合電子の可視化 : 単結晶X線回折によるMEM解析
- Instability of Cl-Related Deep Defects in ZnSe
- Effect of Cd Reservoir on the Composition (y) of Cd_Zn_yTe Epilayers Grown by Hot Wall Epitaxy
- Growth and Evaluation of Cd_Zn_yTe Epilayers on (100) GaAs Substrates by Hot Wall Epitaxy
- Growth Kinetics of Hg_Cd_xTe Epilayers by Semiclosed Open-Tube Isothermal Vapor Phase Epitaxy
- Effect of CdTe Layer Thickness on Hg_Cd_xTe Epilayer Growth by Isothermal Vapor Phase Epitaxy Using (100) CdTe/GaAs Substrates and Void Formation at the Interface
- Prediction of Surface Temperature on Metal Beads Subjected to Argon-Hydrogen Transferred Arc Plasma Impingement
- Optically Detected Cyclotron Resonance in CdTe
- Surface Segregation of Chromium in a Copper-Chromium Alloy and its Effect on Formation of a Native Oxide Layer
- Surface Layer Formed by Selective Oxidation in High-Purity Copper-Titanium Binary Alloys
- 都市ゴミ焼却灰のプラズマ溶融処理
- 物理精製研究分野 (1992.1-1992.12)(研究活動報告)
- 高純度銅の高温酸化
- 高純度銅スパッタ膜の作製と評価
- CdおよびCdTeの超高純度化と特性変化
- 金属の高純度化とその評価法
- 次世代半導体用素材としての鉄
- 次世代半導体用素材の高純度化
- 減圧水素雰囲気での鉄及び銅の浮遊帯溶融精製
- 高純度金属の作製と評価 (特集 地域と世界に貢献する東北大学多元物質科学研究所)
- Floating Zone Refining Iron Reduced Pressure with Dynamic Hydrogen Flow
- ZnSe : N/ZnSe エピタキシャル膜中の窒素活性化のためのアニール方法の検討
- Annealing Effect and Floating Zone Refining of Copper under Hydrogen Atmosphere
- Precise Purity-Evaluation of High-Purity Copper by Residual Resistivity Ratio
- 金属の高純度精製プロセス (特集 材料プロセスにおける分離操作と高純度精製)
- Purification of Hafnium by Hydrogen Plasma Arc Melting
- 高純度めっき材料を用いた低抵抗率Cu配線形成プロセスの8インチウエハによる検証
- 超高速LSI用低抵抗率Cu配線材料の現状と将来 : 高純度めっき技術によるアプローチを中心にして
- 高融点金属の高純度化の現状
- 超高速LSI用低抵抗率Cu配線材料の現状と将来 : 高純度めっき技術によるアプローチを中心にして
- 30a-LD-11 ZnSeのサイクロトロン共鳴における温度依存性(半導体)
- 30a-FC-7 ZnSeの2次元電子系における円偏波サイクロトロン共鳴(30a FC 半導体(表面・界面・超格子・MOS))