スパッタリングとレーザアブレーションで成膜された窒化炭素膜の膜構造
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概要
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Carbon nitride films were deposited by reactive sputtering process and by pulsed laser ablation process with substrate bias. The atomic composition ratio of N/C and sp3 bonding ratio increased with substrate bias voltage up to 100 V. The maximum atomic composition ratio of N/C was 0.35 for reactive sputtering and 0.24 for laser ablation. However, the hardness of the films is high for reactive sputtering, and low for pulsed laser ablation. From the FE-SEM and TEM observation, the morphology of the films had dense structure by reactive sputtering and nano-size columnar structure with uneven surface by pulsed laser ablation.
- 2005-06-20
著者
-
田原 弘一
大阪大学大学院基礎工学研究科機能創成専攻
-
吉川 孝雄
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
安井 利明
豊橋技術科学大学
-
福本 昌宏
豊橋技術科学大学工学部
-
田原 弘一
大阪大学 大学院基礎工学研究科 機能創成専攻 機能デザイン領域
-
吉川 孝雄
大阪大学基礎工学部機械工学科
-
福本 昌宏
豊橋技術科学大学
-
小谷 高代
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
藤内 賢治
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
Tahara Hirokazu
Department Of Mechanical Engineering Faculty Of Engineering Science Osaka University
-
吉川 孝雄
大阪大学大学院
-
田原 弘一
大阪大学大学院
-
藤内 賢治
大阪大学大学院
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