SDB-SOIウェハを用いたセンサ用高温CMOS集積回路の試作

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概要

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• High temperature CMOS circuits for sensor applications have been fabricated using Silicon-Direct-Bonding (SDB) SOI wafers. A novel SOI-MOSFET structure was fabricated on silicon film of 800nm in thickness above a buried oxide layer of 1μm in thickness. The MOSFET was designed in order to remove Kink-effect and parasitic bipolar transistor effect, and the fabrication process was optimized by process simulator(SUPREM III). The signal conditioning circuits (Operational amplifier and C-F converter) for sensor applications were designed and fabricated with the MOSFET. These MOSFET and signal conditioning circuits were operated up to 300°C. The temperature dependence of the MOSFET and the characteristic of the circuits were evaluated from room temperature to 300°C.

• 社団法人 電気学会の論文

著者

• 石田 誠

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 松本 佳宣

  豊橋技術科学大学工学部電気電子工学系

• 石田 誠

  豊橋技術科学大学

• 松本 佳宣

  慶應義塾大学理工学部

• 北山 康夫

  豊橋技術科学大学

• 松本 佳宣

  慶応義塾大学理工学研究科

• 河村 彰久

  豊橋技術科学大学

• 松本 佳宣

  豊橋技術科学大学

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