Ti薄膜/Si基板の界面構造と密着性
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概要
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The structure of the interface between Ti thin films and Si (100) substrates was investigated to discuss film-to-substrate adhesion after two different surface pretreatments. Prior to film deposition, the substrates were pretreated either by conventional Ar ion bombardment or by chemical etching. It was found that chemical pretreatment resulted in greater adhesion than Ar ion bombardment. The results of observation by TEM, EDS, XPS, SIMS, RBS, and AES suggest that differences in the interface structure and adhesion are caused by the Ar atoms incorporated during Ar ion bombardment. When the Ti thin film is deposited onto the Si substrate, these Ar atoms are concentrated around the interface, lowering the adhesion.
- 社団法人 表面技術協会の論文
著者
-
近藤 市治
(株)デンソー生産技術開発二部
-
金原 粲
金沢工業大学
-
近藤 市治
日本電装 (株) 生産技術開発二部
-
近藤 憲司
日本電装 (株) 生産技術開発二部
-
竹中 修
日本電装 (株) 生産技術開発二部
-
竹中 修
日本電装 (株)
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