非対称ナノブリッジを利用した高温超伝導デバイスの特性(薄膜,デバイス技術及びその応用,一般)
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概要
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単一磁束量子(Single Flux Quantum,SFQ)回路の大規模化に向けて,電源供給回路における消費電力の低減が必要不可欠である.これを解決する方法の一つとして超伝導整流回路の構成が挙げられる.我々はこれまでに,その実現を目指してYBa_2Cu_3O_<7-x>(YBCO)を用いた非対称ナノブリッジを作製してきた.非対称ナノブリッジは外部磁場下において,ラチェット効果により非対称な電流-電圧(I-V)特性を示す.今回,我々は磁場変調量の増大化を目指して,2並列の非対称ナノブリッジによる超伝導量子干渉計(Superconducting Quantum Interference Device,SQUID)を作製した.その臨界電流(I_c)の外部磁場依存性(I_c-B特性)において,ラチェット効果によるI_cの変化とSQUIDによるIcの変調をそれぞれ確認できた.
- 2014-01-16
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