25pJA-2 グラフェン成長のその場観察(主題:二次元物質の成長過程,領域9シンポジウム,領域9(表面・界面,結晶成長))

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 一般社団法人日本物理学会の論文
• 2013-08-26

著者

• 小田原 玄樹

  早稲田大学応用物理学科

• 日比野 浩樹

  Ntt物性基礎研

• 本間 芳和

  東京理科大

• 村田 祐也

  NTT物性基礎研

• 小田原 玄樹

  産総研

関連論文

• 28aYG-3 Si(111)面(1x1)-(7x7)構造変化に関する微斜面効果III : interplay factorの温度変化を取り入れたmodified RSOS-I模型による密度行列繰り込み群計算(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21pGP-1 SiC上に成長したエピタキシャルグラフェンの構造と電子特性の表面電子顕微鏡による解析(21pGP 領域7,領域9合同招待講演,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22pGQ-7 Si(111)面(1×1)-(7×7)構造変化に関する微斜面効果IV : 方向に傾いた微斜面でステップ・バンチングが消失する温度近傍の密度行列くりこみ群計算(22pGQ 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27aTE-6 Si(111)面(1x1)-(7x7)構造変化に関する微斜面効果II : modified RSOS-I模型による密度行列繰り込み群計算(27aTE 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23pXB-6 吸着子による熱的なステップ端上段/下段デコレーション : 変形RSOS-Ising結合模型のモンテカルロ・シミュレーション(23pXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pPSB-25 傾斜SiC上グラフェンの空間層厚制御と電子状態(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 27pYE-4 SiC(0001)上のC原子の吸着構造とその安定性(グラフェン電子物性(形成と評価),領域7,分子性固体・有機導体)
• マイクロカロリーメータシステムとその応用
• 極低加速電圧走査電子顕微鏡法
• SiC上エピタキシャルグラフェン成長の理論検討(グラフェンの成長と応用)
• 単結晶グラフェン基板の創製に向けたSiC上エピタキシャル少数層グラフェンの層数解析
• カーボンナノチューブの合成を制御する
• SEMによるカーボンナノチューブのCVD成長過程その場観察
• 25pWS-4 SiC(0001)表面上のエピタキシャルグラフェン島の原子構造と磁気電気効果(25pWS 領域9,領域7合同 グラフェン,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23aWS-7 Si(111)面(1×1)-(7×7)構造変化に関する微斜面効果V : 低温でのステップ・バンチング消失とmRSOS-I模型の相図(23aWS 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))
• ナノワイヤの配列制御に向けた触媒金属の表面原子ステップへの配置
• 低速電子顕微鏡によるSi(111)表面での質量輸送の研究
• Si 双晶超格子
• 超高真空SEMによるシリコン表面の動的観察
• Si表面における人工構造物の蒸発による変化
• 24pW-5 Si(111)表面に形成した丘および穴の加熱による崩壊過程
• 超高真空走査電子顕微鏡によるSi(111)表面の昇華現象の観察
• グラフェンとh-BNの化学気相堆積膜
• SiC表面上のエピタキシャルグラフェンの成長
• 26aTA-3 SiC上グラフェンの表面増強ラマン散乱(26aTA 領域7,領域9合同 グラフェン(ラマン分光/端状態),領域7(分子性固体・有機導体))
• 21pHA-7 低速電子顕微鏡によるSi(111)表面上の鉄シリサイド薄膜成長過程の研究(21pHA 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22aTL-4 SiC上グラフェンにおける時間分解電気伝導測定(22aTL グラフェン/ディラック電子系,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 22aTE-6 SiC上グラフェンの表面増強ラマン散乱II(22aTE 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
• 22aTE-5 トレンチモデルを用いたSiC(0001)上グラフェン成長の検討(22aTE 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
• 22aTL-11 グラフェン ランダウ ファン ダイアグラムに現れる界面準位の影響(22aTL グラフェン/ディラック電子系,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• SiC(0001)面上エピタキシャルグラフェンの構造と形成(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• Auナノ粒子触媒のサイズに依存したナノカーボン材料成長
• 超平坦金属表面上におけるグラフェン成長その場観察 (特集 カーボン系材料の特異な表面科学)
• カーボンナノチューブデバイス
• 24aSB-8 SiC上グラフェンにおけるプラズモン伝導測定(24aSB 領域4,領域7合同 グラフェン(不純物・界面・伝導特性),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26pSB-10 SiC(0001)面上エピタキシャルグラフェン成長の初期過程(26pSB 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
• 26pSB-8 SiC上エピタキシャルグラフェンの超強磁場磁気光学(26pSB 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
• 25pCJ-4 SiC上に成長したエピタキシャルグラフェンにおける最小電気伝導度とN=0ランダウレベルにおける挙動(25pCJ 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 超平坦金属表面上におけるグラフェン成長その場観察
• エピタキシャルグラフェンの成長と電子物性
• 18aEC-9 エピタキシャルグラフェンにおけるv=2量子ホール状態の活性化エネルギー(18aEC 領域4,領域7合同 グラフェン(磁場効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 19aEC-5 SiC(11-20)a面上エピタキシャルグラフェンの理論(19aEC 領域7,領域9合同 グラフェン(分光・構造),領域7(分子性固体・有機導体))
• 18aEC-5 SiC上エピタキシャルグラフェンの超強磁場下サイクロトロン共鳴(18aEC 領域4,領域7合同 グラフェン(磁場効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20aEC-8 グラフェンにおけるプラズモンのナノリボンを利用した時間分解伝導測定(20aEC 領域4,領域7合同 グラフェン(電子相関・輸送特性),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26aXT-6 SiC上エピタキシャルグラフェンの超強磁場下サイクロトロン共鳴II(26aXT 領域4,領域7合同 グラフェン(磁場効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26aXZA-5 Si(111)表面上における鉄シリサイド薄膜成長過程の光電子・低速電子顕微鏡観察(26aXZA 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 電子顕微鏡によるグラフェン成長のその場観察 (その場観察技術の進展とその応用)
• 26aXT-7 SiC上成長エピタキシャルグラフェンにおけるプラトー間遷移(26aXT 領域4,領域7合同 グラフェン(磁場効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pJA-2 グラフェン成長のその場観察(主題:二次元物質の成長過程,領域9シンポジウム,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28aDK-7 SiC(0001)上0層グラフェン成長における表面形状の起源(グラフェン(分光・構造),領域7,領域4合同,領域7(分子性個体・有機導体))
• 27aDH-9 SiC上エピタキシャルグラフェンにおけるゼロエネルギーランダウ準位の分裂(グラフェン(電磁効果・電子相関),領域4,領域7合同,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28aDK-3 クリプトン原子でインタカレートしたSiCグラフェンのSTM/S観測(グラフェン(分光・構造),領域7,領域4合同,領域7(分子性個体・有機導体))
• 26pJB-7 Si(111)微斜面における(7×7)-(1×1)相転移温度の低下(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aJB-3 Si(111)微斜面における不連続な表面張力 : (7x7)-(1x1)相転移とステップの相互作用(結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27aDH-2 2層グラフェンの超強磁場磁気光学(グラフェン(電磁効果・電子相関),領域4,領域7合同,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• グラフェンのSiCの熱分解による生成と電気伝導特性

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク