26aXT-6 SiC上エピタキシャルグラフェンの超強磁場下サイクロトロン共鳴II(26aXT 領域4,領域7合同 グラフェン(磁場効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

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概要

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• 2013-03-26

著者

• 松田 康弘

  東大物性研

• 嶽山 正二郎

  東大物性研

• 澤部 博信

  物性研

• 齋藤 宏晃

  東大院工

• 澤部 博信

  東大物性研

• 日比野 浩樹

  Ntt物性基礎研

• 中村 大輔

  東大物性研

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